日本古河furukawa氮化鋁粉用于散熱片和填料 FAN-f05/f30-A1/f50-A1 填料是將氮化鋁（AlN）細粉燒結成球形而制成的，在樹脂中具有優(yōu)異的填充性能，可以顯著提高導熱系數，因此用于散熱片等產品。隨著電子元件變得越來越小、集成度越來越高，散熱已成為一個主要問題，而氮化鋁陶瓷填料有助于改善散熱。

日本furukawa氮化鋁粉陶瓷填充材料改善散熱 FAN-f05/f30-A1/f50-A1 填料是將氮化鋁（AlN）細粉燒結成球形而制成的，在樹脂中具有優(yōu)異的填充性能，可以顯著提高導熱系數，因此用于散熱片等產品。隨著電子元件變得越來越小、集成度越來越高，散熱已成為一個主要問題，而氮化鋁陶瓷填料有助于改善散熱。

日本古河furukawa電絕緣性氮化鋁陶瓷基板 FAN-170/FAN-200 我們提供使用古河電子的燒成技術制造的塊材切片而成的基板。 氮化鋁（AlN）陶瓷基板能夠同時實現高散熱和電絕緣性能，被用作5G時代功率半導體和光通信激光器的散熱基板，在絕緣的同時起到散熱的作用。

日本furukawa氮化鋁陶瓷基板材料散熱性高 FAN-170/FAN-200 我們提供使用古河電子的燒成技術制造的塊材切片而成的基板。 氮化鋁（AlN）陶瓷基板能夠同時實現高散熱和電絕緣性能，被用作5G時代功率半導體和光通信激光器的散熱基板，在絕緣的同時起到散熱的作用。

日本furukawa氮化鋁陶瓷零件高導熱率耐腐蝕 FAN-090/FAN-170/FAN-200 半導體制造設備（用于前端工藝）需要應對更小的設計規(guī)則和更大的晶圓直徑（300mmφ或更大）。為此，構成設備的部件材料的選擇極其重要。

日本furukawa氮化鋁陶瓷零件半導體制造設備 FAN-090/FAN-170/FAN-200 半導體制造設備（用于前端工藝）需要應對更小的設計規(guī)則和更大的晶圓直徑（300mmφ或更大）。為此，構成設備的部件材料的選擇極其重要。

日本MARUWA高純氮化鋁高電絕緣性半導體封裝 ANF-A / ANF-S系列 利用陶瓷基板技術開發(fā)出的高導熱填料，體現了氮化鋁（AlN）其材料本身具有的性能，源于精益求精的高品質材料以及成熟的一體化生產體系，并基于其穩(wěn)定性與高導熱率，可以大大期待提高樹脂等產品的導熱性能。 產品廣泛用于導熱膠，導熱墊片等導熱材料（TIM）產品，以及金屬基板涂層，半導體封裝等領域。

日本MARUWA高純氮化鋁用于導熱材料產品加工 ANF-A / ANF-S系列 利用陶瓷基板技術開發(fā)出的高導熱填料，體現了氮化鋁（AlN）其材料本身具有的性能，源于精益求精的高品質材料以及成熟的一體化生產體系，并基于其穩(wěn)定性與高導熱率，可以大大期待提高樹脂等產品的導熱性能。 產品廣泛用于導熱膠，導熱墊片等導熱材料（TIM）產品，以及金屬基板涂層，半導體封裝等領域。