日本Napson手持式探針無損測(cè)量電阻測(cè)試儀

日本Napson手持式探針無損測(cè)量電阻測(cè)試儀 EC-80P 特點(diǎn)介紹

只需簡(jiǎn)單接觸筆型探針即可進(jìn)行測(cè)量

可在任意位置進(jìn)行測(cè)量，不會(huì)損壞樣品

易于操作的手持探針

通過切換測(cè)量模式，調(diào)整片材電阻和電阻率

可顯示在

通過JOG撥盤輕松設(shè)定測(cè)量條件

電阻測(cè)量探頭按范圍排列

寬敞，支持廣泛的范圍

（電阻探針:最多2根+PN判定探針

同時(shí)接続可能）

探頭2~第三條是可選的。

測(cè)量光斑直徑（探針芯直徑）:

14mmΦ

日本Napson手持式探針無損測(cè)量電阻測(cè)試儀 EC-80P 規(guī)格參數(shù)

芯片樣品；

硅載體、化合物（GaN、GaP）、Epi、

擴(kuò)散層、SiC等

各種薄膜樣品；

半導(dǎo)體處理膜、金屬膜、ITO膜等

其他

*原則上，如果在測(cè)量范圍內(nèi)，則為

也可以用樣品進(jìn)行測(cè)量。

[電阻率] 1m 至200Ω.cm

(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)

[表面電阻] 10m 至3k2/sq

(*所有探頭類型的總范圍)

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參見下文。

(1)低:0.01~0.5Ω/□(0.001~0.05Ω.cm)

(2)中:0.5~10Ω/□(0.05~0.5Ω.cm)

(3)高:10~1,000Ω/□(0.5~60Ω).cm)

(4) S-高:1,000-3,0002/□(60-200Ω.m)

(5)太陽能晶圓:5-500Ω2/□(0.2-15Ω.cm)

產(chǎn)品尺寸

·機(jī)身:W255xD275xH95mm,4kg

·探頭部分:20mmΦx80mm